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1N1206A

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品番
1N1206A
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
1N1206A.pdf
合計:$4.10428
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$4.10428

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品番
1N1206A
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
600V
電流-平均整流(Io)
12A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.1V @ 12A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流-Vrでの逆漏れ
10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F
-
取付タイプ
Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース
DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ
DO-4
動作温度-ジャンクション
-65°C ~ 200°C

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