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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル NTLJS4114NT1G

NTLJS4114NT1G

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品番
NTLJS4114NT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.23925
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$0.23925

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品番
NTLJS4114NT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
3.6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
35 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
13nC @ 4.5V
Vgs（最大）
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
650pF @ 15V
FET機能
-
消費電力（最大）
700mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
6-WDFN (2x2)
パッケージ/ケース
6-WDFN Exposed Pad

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