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SI3407DV-T1-GE3

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品番
SI3407DV-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI3407DV-T1-GE3.pdf
合計:$0.19855
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品番
SI3407DV-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
63nC @ 10V
Vgs(最大)
±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1670pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
6-TSOP
パッケージ/ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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