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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IXFT6N100Q

IXFT6N100Q

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品番
IXFT6N100Q
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFT6N100Q.pdf
合計:$9.02000
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$9.02000

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品番
IXFT6N100Q
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4.5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
48nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2200pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
180W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-268
パッケージ/ケース
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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