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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IRF5803D2TRPBF

IRF5803D2TRPBF

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品番
IRF5803D2TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRF5803D2TRPBF.pdf
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品番
IRF5803D2TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
3.4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
37nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1110pF @ 25V
FET機能
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大）
2W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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