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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル NTR2101PT1G

NTR2101PT1G

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品番
NTR2101PT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.10267
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品番
NTR2101PT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
52 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
15nC @ 4.5V
Vgs（最大）
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1173pF @ 4V
FET機能
-
消費電力（最大）
960mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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