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BSZ110N06NS3GATMA1

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品番
BSZ110N06NS3GATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSZ110N06NS3GATMA1.pdf
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品番
BSZ110N06NS3GATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
20A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 23µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
33nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2700pF @ 30V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN

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