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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IRFSL3306PBF

IRFSL3306PBF

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品番
IRFSL3306PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRFSL3306PBF.pdf
合計:$2.66000
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$2.66000

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品番
IRFSL3306PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
4.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 150µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
120nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
4520pF @ 50V
FET機能
-
消費電力（最大）
230W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-262
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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