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FGL60N100BNTD

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品番
FGL60N100BNTD
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 1000V 60A 180W TO264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FGL60N100BNTD.pdf
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$6.78000

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品番
FGL60N100BNTD
メーカー
ON Semiconductor
説明
IGBT 1000V 60A 180W TO264
部品ステータス
Not For New Designs
IGBTタイプ
NPT and Trench
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
1000V
電流-コレクター(Ic)(最大)
60A
電流-パルスコレクター(Icm)
120A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2.9V @ 15V, 60A
パワー-最大
180W
スイッチングエネルギー
-
入力方式
Standard
ゲートチャージ
275nC
Td(オン/オフ)@ 25°C
140ns/630ns
試験条件
600V, 60A, 51 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
1.2µs
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-264-3, TO-264AA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-264-3

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