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SI8425DB-T1-E1

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品番
SI8425DB-T1-E1
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI8425DB-T1-E1.pdf
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品番
SI8425DB-T1-E1
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
23 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
110nC @ 10V
Vgs(最大)
±10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2800pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
4-WLCSP (1.6x1.6)
パッケージ/ケース
4-UFBGA, WLCSP

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