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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPDD60R190G7XTMA1

IPDD60R190G7XTMA1

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品番
IPDD60R190G7XTMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPDD60R190G7XTMA1.pdf
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$1.48175

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品番
IPDD60R190G7XTMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
13A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
190 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 210µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
18nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
718pF @ 400V
FET機能
-
消費電力（最大）
76W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-HDSOP-10-1
パッケージ/ケース
10-PowerSOP Module

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