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GP2M011A090NG

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品番
GP2M011A090NG
メーカー
Global Power Technologies Group, Inc.
説明
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GP2M011A090NG.pdf
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品番
GP2M011A090NG
メーカー
Global Power Technologies Group, Inc.
説明
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
900V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
11A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
900 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
84nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3240pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
416W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3PN
パッケージ/ケース
TO-3P-3, SC-65-3

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