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2N7635-GA

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品番
2N7635-GA
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
TRANS SJT 650V 4A TO-257
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
2N7635-GA
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
TRANS SJT 650V 4A TO-257
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
-
技術
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
4A (Tc) (165°C)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
-
Rds On(最大)@ Id、Vgs
415 mOhm @ 4A
Vgs(th)(最大)@ Id
-
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
-
Vgs(最大)
-
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
324pF @ 35V
FET機能
-
消費電力(最大)
47W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 225°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-257
パッケージ/ケース
TO-257-3

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