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FDD8782

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品番
FDD8782
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FDD8782.pdf
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品番
FDD8782
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
11 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
25nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1220pF @ 13V
FET機能
-
消費電力(最大)
50W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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