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SQJ912BEP-T1_GE3

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品番
SQJ912BEP-T1_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SQJ912BEP-T1_GE3.pdf
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品番
SQJ912BEP-T1_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
30A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs
11 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
60nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3000pF @ 25V
パワー-最大
48W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual

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