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EPC2022

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品番
EPC2022
メーカー
EPC
説明
GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
EPC2022.pdf
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品番
EPC2022
メーカー
EPC
説明
GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
60A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 12mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
-
Vgs(最大)
+6V, -4V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1500pF @ 50V
FET機能
-
消費電力(最大)
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
パッケージ/ケース
Die

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