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1N5809US

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品番
1N5809US
メーカー
Microsemi
説明
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$11.30000
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$11.30000

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品番
1N5809US
メーカー
Microsemi
説明
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
100V
電流-平均整流(Io)
3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
875mV @ 4A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
30ns
電流-Vrでの逆漏れ
5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F
60pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ
B, SQ-MELF
動作温度-ジャンクション
-65°C ~ 175°C

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