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NCV84160DR2G

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品番
NCV84160DR2G
メーカー
ON Semiconductor
説明
160MOHM SMARTFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.56000
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$0.56000

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品番
NCV84160DR2G
メーカー
ON Semiconductor
説明
160MOHM SMARTFET
部品ステータス
Active
駆動構成
High-Side
チャンネルタイプ
Single
ドライバー数
1
門型
IGBT
電圧-供給
4.5V ~ 28V
ロジック電圧-VIL、VIH
0.9V, 2.1V
電流-ピーク出力(ソース、シンク)
-
入力方式
CMOS
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ)
-
立ち上がり/立ち下がり時間(標準)
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC

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