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IPB80N04S306ATMA1

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品番
IPB80N04S306ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPB80N04S306ATMA1.pdf
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品番
IPB80N04S306ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
5.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 52µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
47nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3250pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
100W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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