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IPB60R099C6ATMA1

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品番
IPB60R099C6ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPB60R099C6ATMA1.pdf
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$3.41095

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品番
IPB60R099C6ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
37.9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
99 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 1.21mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
119nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2660pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
278W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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