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HTMN5130SSD-13

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品番
HTMN5130SSD-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
HTMN5130SSD-13.pdf
合計:$1.00780
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$1.00780

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品番
HTMN5130SSD-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
55V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
2.6A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
8.9nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
218.7pF @ 25V
パワー-最大
1.7W
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO

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