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SIE832DF-T1-GE3

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品番
SIE832DF-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIE832DF-T1-GE3.pdf
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品番
SIE832DF-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
5.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
77nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3800pF @ 20V
FET機能
-
消費電力(最大)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
10-PolarPAK® (S)
パッケージ/ケース
10-PolarPAK® (S)

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