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MSRTA200160(A)D

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品番
MSRTA200160(A)D
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
MSRTA200160(A)D.pdf
合計:$86.80889
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(米ドルで)
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$86.80889

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品番
MSRTA200160(A)D
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
部品ステータス
Active
ダイオード構成
1 Pair Series Connection
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
1600V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと)
200A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.1V @ 200A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流-Vrでの逆漏れ
10µA @ 1600V
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 150°C
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ
Three Tower

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