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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

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品番
DMN3070SSN-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMN3070SSN-7.pdf
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品番
DMN3070SSN-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
4.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
40 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
13.2nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
697pF @ 15V
FET機能
-
消費電力（最大）
780mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-59
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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