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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SQJA20EP-T1_GE3

SQJA20EP-T1_GE3

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品番
SQJA20EP-T1_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SQJA20EP-T1_GE3.pdf
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$0.63780

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品番
SQJA20EP-T1_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
22.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
7.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
50 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
27nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1300pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
68W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8

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