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IPG20N10S4L22ATMA1

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品番
IPG20N10S4L22ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 8TDSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPG20N10S4L22ATMA1.pdf
合計:$0.77077
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$0.77077

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品番
IPG20N10S4L22ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 8TDSON
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
20A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.1V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
27nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1755pF @ 25V
パワー-最大
60W
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8-4

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