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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IXFH6N100F

IXFH6N100F

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品番
IXFH6N100F
メーカー
IXYS RF/Littelfuse
説明
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFH6N100F.pdf
合計:$8.83000
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$8.83000

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品番
IXFH6N100F
メーカー
IXYS RF/Littelfuse
説明
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
5.5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
54nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1770pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
180W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247 (IXFH)
パッケージ/ケース
TO-247-3

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